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  • 专利 [46]
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  • 2001 [46]
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量子阱激光器及肖特基势垒接触限流方法 专利  OAI收割
专利号: CN1328369A, 申请日期: 2001-12-26, 公开日期: 2001-12-26
作者:  王立军
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Halfgeleiderlaser. 专利  OAI收割
专利号: NL1004998C, 申请日期: 2001-12-12, 公开日期: 2001-12-12
作者:  HIROAKI FUJII
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High-power semiconductor laser device including resistance reduction layer which has intermediate energy gap 专利  OAI收割
专利号: US20010043630A1, 申请日期: 2001-11-22, 公开日期: 2001-11-22
作者:  AKINAGA, FUJIO;  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU
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半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割
专利号: TW465154B, 申请日期: 2001-11-21, 公开日期: 2001-11-21
作者:  川津善平;  宮下宗治;  八木哲哉
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半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3246148B2, 申请日期: 2001-11-02, 公开日期: 2002-01-15
作者:  木戸口 勲;  足立 秀人;  上山 智;  大仲 清司
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AlGaInP系可視光半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP3244312B2, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2002-01-07
作者:  本多 正治
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High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure and stably oscillating in single mode 专利  OAI收割
专利号: US20010033591A1, 申请日期: 2001-10-25, 公开日期: 2001-10-25
作者:  FUKUNAGA, TOSHIAKI;  WADA, MITSUGU;  MATSUMOTO, KENJI
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半導体発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP3242967B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者:  板谷 和彦;  新田 康一;  波多腰 玄一;  西川 幸江;  菅原 秀人
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面発光型半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP3240636B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-17
作者:  森 克己;  浅賀 達也;  岩野 英明
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光半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP3241360B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
作者:  下山 謙司;  後藤 秀樹
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