机构

• 合肥物质科学研究院 [8]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2016 [8]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：合肥物质科学研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Baking-temperature-modulated optical and electrical properties of HfTiOx gate dielectrics via sol-gel method 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 925-932 作者:  Jin, P.;  He, G.;  Wang, P. H.;  Liu, M.;  Xiao, D. Q. 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2017/09/11 High-k Gate Dielectrics  Hftiox Thin Films  Sol-gel Processing  Optical Properties  Electrical Properties   Modification of optical and electrical properties of sol-gel-derived TiO2-doped ZrO2 gate dielectrics by annealing temperature 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 688, 期号: 无, 页码: 252-259 作者:  Xiao, D. Q.;  He, G.;  Liu, M.;  Gao, J.;  Jin, P. 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2017/10/18 High-k Gate Dielectrics  Optical Constant  Electrical Properties  Ti incorporaTion  Sol-gel  Conduction Mechanisms   Oxygen vacancy-induced ferromagnetism in Bi4NdTi3FeO15 multiferroic ceramics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 120, 期号: 15, 页码: 1-7 作者:  Zhang, Dalong;  Feng, Lei;  Huang, Weichuan;  Zhao, Wenbo;  Chen, Zhiwei 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2017/11/21 Field-induced dielectric response saturation in o-TaS3 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2016, 卷号: 28, 期号: 39, 页码: 1-7 作者:  Ma, Yongchang;  Lu, Cuimin;  Wang, Xuewei;  Du, Xueli;  Li, Lijun 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/09/18 Dielectric Constant  Tunnelling  Soliton   Modification of band alignments and optimization of electrical properties of InGaZnO MOS capacitors with high-k HfOxNy gate dielectrics 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 679, 期号: 无, 页码: 115-121 作者:  Zheng, C. Y.;  He, G.;  Chen, X. F.;  Liu, M.;  Lv, J. G. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/10/18 Band Offset  Hfo2/ingazno4 Heterojunctions  X-ray Photoelectron Spectroscopy  Thin Film Transistors  Electrical Properties  Mos Capacitor   Annealing Temperature Dependent Electrical Properties and Leakage Current Transport Mechanisms in Atomic Layer Deposition-Derived Al2O3-Incorporated HfO2/Si Gate Stack 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2016, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 8075-8082 作者:  Gao, Juan;  He, Gang;  Zhang, Jiwen;  Chen, Xuefei;  Jin, Peng 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/11/21 High-k Gate Dielectric  Atomic Layer Deposition  Electrical Properties  Leakage Current Mechanism   Colossal magnetodielectric effect and spin flop in magnetoelectric Co4Nb2O9 crystal 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 3, 页码: 032905 作者:  Yin, L. H.;  Zou, Y. M.;  Yang, J.;  Dai, J. M.;  Song, W. H. 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/09/12 Nitrogen-concentration modulated interfacial and electrical properties of sputtering-derived HfGdON gate dielectric 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21, 页码: 1-5 作者:  Ma, Rui;  Liu, Mao;  He, Gang;  Fang, Ming;  Shang, Guoliang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2017/11/16