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• 半导体研究所 [13]

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发表日期

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学科主题

• 半导体材料 [13]

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 限定条件 存缴方式：oaiharvest    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The self-seeded growth of InAsSb nanowires on silicon by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 396, 页码: 33-37 Du, WN; Yang, XG; Wang, XY; Pan, HY; Ji, HM; Luo, S; Yang, T; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2015/04/02 Thickness influence of thermal oxide layers on the formation of self-catalyzed InAs nanowires on Si(111) by MOCVD 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2014, 卷号: 395, 页码: 55-60 Wang, XY; Yang, XG; Du, WN; Ji, HM; Luo, S; Yang, T 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/03/25 Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates 期刊论文  OAI收割 journal of physics d-applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102 Dong, L; Sun, GS; Zheng, L; Liu, XF; Zhang, F; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Li, XG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/17 Characterization of 4H-SiC substrates and epilayers by Fourier transform infrared reflectance spectroscopy 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2012, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 47802 Dong, L; Sun, GS; Zheng, L; Liu, XF; Zhang, F; Yan, GG; Zhao, WS; Wang, L; Li, XG; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/02/07 Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301 作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L 收藏  |  浏览/下载：38/3  |  提交时间：2011/07/05 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties  SILICON-CARBIDE  LIGHT  GAP   Relationship between the electric performance and the photoluminescence spectra of resonant tunnelling diodes 期刊论文  OAI收割 chinese physics, 2004, 卷号: 13, 期号: 9, 页码: 1560-1563 Zhang, XX; Zeng, YP; Wang, XG; Wang, BQ; Zhu, ZP 收藏  |  浏览/下载：218/52  |  提交时间：2010/03/09 resonant tunnelling diode   Structure characteristics of InGaN quantum dots fabricated by passivation and low temperature method 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 19-25 Qu BZ; Chen Z; Lu DC; Han P; Liu XG; Wang XH; Wang D; Zhu QS; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  metalorganic chemical vapor deposition  nitrides  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SIZE DISTRIBUTION  GROWTH  GAAS  DEPENDENCE  EMISSION  NUMBER   Photoluminescence of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs with different thickness of spacer layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 231, 期号: 4, 页码: 520-524 Cao X; Zeng YP; Kong MY; Pan LA; Wang BQ; Zhu ZP; Wang XG; Chang Y; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：134/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  high electron mobility transistors  ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR  CARRIER DENSITY  QUANTUM-WELLS  BAND-GAP   Fabrication of GaN epitaxial films on Al2O3/Si (001) substrates 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 1998, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 203-207 Wang LS; Liu XG; Zan YD; Wang D; Wang J; Lu DC; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 fabrication of GaN epitaxial films  Al2O3/Si(001) substrate  metalorganic chemical deposition  crystal structure and surface morphology  photoluminescence spectrum  GROWTH  DIODES  BUFFER LAYER