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浏览/检索结果: 共79条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A low resistivity n(++)-InGaN/p(++)-GaN polarization-induced tunnel junction 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 49, 期号: 11 作者:  Hu, WW;  Zhang, SM(张书明);  Ikeda, M;  Chen, YG;  Liu, JP(刘建平) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of InGaN/GaN laser degradation based on luminescence properties 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 119, 期号: 21 作者:  Wen, PY(温鹏雁);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Li, DY(李德尧);  Zhang, LQ(张立群) 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1 作者:  Li, XJ;  Zhao, DG;  Jiang, D;  Chen, P;  Zhu, JJ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/03/11 Hole transport in c-plane InGaN-based green laser diodes 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 9 作者:  Cheng, Y(程洋);  Liu, JP(刘建平);  Tian, AQ(田爱琴);  Zhang, F(张峰);  Feng, MX(冯美鑫) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/03/11 Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111) 期刊论文  OAI收割 AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3 作者:  Li, SM(李水明);  Zhou, Y(周宇);  Gao, HW(高宏伟);  Dai, SJ(戴淑君);  Yu, GH(于国浩) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2017/03/11 Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si 期刊论文  OAI收割 NATURE PHOTONICS, 2016, 卷号: 10, 期号: 9 作者:  Sun, Y(孙逸);  Zhou, K;  Sun, Q(孙钱);  Liu, JP(刘建平);  Feng, MX(冯美鑫) 收藏  |  浏览/下载：72/0  |  提交时间：2017/03/11 Normally OFF GaN-on-Si MIS-HEMTs Fabricated With LPCVD-SiNx Passivation and High-Temperature Gate Recess 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Shi, YJ;  Huang, S;  Bao, QL;  Wang, XH;  Wei, K 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2017/03/11 AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1 作者:  Sun, SC;  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, ZL;  Song, L 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2017/03/11 Fabrication of normally-off AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors by photo-electrochemical gate recess etching in ionic liquid 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2016, 卷号: 9, 期号: 8 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Qin, SJ(秦双娇);  Fu, K(付凯);  Yu, GH(于国浩);  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2017/03/11 Studies on High-Voltage GaN-on-Si MIS-HEMTs Using LPCVD Si3N4 as Gate Dielectric and Passivation Layer 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2016, 卷号: 63, 期号: 2 作者:  Zhang, ZL(张志利);  Yu, GH(于国浩);  Zhang, XD(张晓东);  Deng, XG(邓旭光);  Li, SM(李水明) 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/11