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• 半导体研究所 [59]

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• 期刊论文 [59]

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• 光电子学 [7]
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浏览/检索结果: 共59条，第1-10条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A 2 nm low temperature GaN spacer to improve the transport properties of two-dimensional electron gas in AlGaN/InAlN/AlN/GaN heterostructures 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 18, 页码: 182102 Ding JQ (Ding, Jieqin); Wang XL (Wang, Xiaoliang); Xiao HL (Xiao, Hongling); Wang CM (Wang, Cuimei); Chen H (Chen, Hong); Bi Y (Bi, Yang); Deng QW (Deng, Qinwen); Zhang JW (Zhang, Jingwen); Hou X (Hou, Xun) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/26 A Self-Aligned Process to Fabricate a Metal Electrode-Quantum Dot/Nanowire-Metal Electrode Structure with 100% Yield 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 098102 Fu YC (Fu Ying-Chun); Wang XF (Wang Xiao-Feng); Fan ZC (Fan Zhong-Chao); Yang X (Yang Xiang); Bai YX (Bai Yun-Xia); Zhang JY (Zhang Jia-Yong); Ma HL (Ma Hui-Li); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-Hua) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/18 Understanding of Thermal Engineering for Vertical Nanowire Phase-Change Random Access Memory Partially Wrapped by Low-Conductivity Layer 期刊论文  OAI收割 japanese journal of applied physics, 2012, 卷号: 51, 期号: 2，part 1, 页码: 24302 Zhang, JY; Wang, XF; Wang, XD; Ma, HL; Fu, YC; Ji, A; Song, ZT; Feng, SL; Yang, FH 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/17 Fast and controllable fabrication of suspended graphene nanopore devices 期刊论文  OAI收割 nanotechnology, NANOTECHNOLOGY, 2012, 2012, 卷号: 23, 23, 期号: 8, 页码: 85301, 85301 作者:  Liu, S;  Zhao, Q;  Xu, J;  Yan, K;  Peng, HL   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2013/03/17 A self-aligned process for phase-change material nanowire confined within metal electrode nanogap 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 17, 页码: 173107 Ma, HL; Wang, XF; Zhang, JY; Wang, XD; Hu, CX; Yang, X; Fu, YC; Chen, XG; Song, ZT; Feng, SL; Ji, A; Yang, FH 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06 CHANGE MEMORY  NONVOLATILE  STORAGE  CELL   Effect of high temperature AlGaN buffer thickness on GaN Epilayer grown on Si(111) substrates 期刊论文  OAI收割 journal of materials science-materials in electronics, 2011, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 1028-1032 作者:  Pan X 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2011/09/14 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE EPITAXY  ALN INTERLAYERS  FILMS  STRESS  LAYERS  DISLOCATIONS  REDUCTION  DENSITY  DIODES   Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell 期刊论文  OAI收割 chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.18401 作者:  Deng QW;  Hou QF;  Bi Y;  Yin HB 收藏  |  浏览/下载：41/5  |  提交时间：2011/07/05 EFFICIENCY   Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104 作者:  Deng QW 收藏  |  浏览/下载：47/5  |  提交时间：2011/07/05 QUANTUM-WELL-STRUCTURE  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE  YELLOW LUMINESCENCE  DEEP LEVELS  TRAP  PERFORMANCE  FREQUENCY  EPILAYERS  ORIGIN  DIODES   Properties investigation of GaN films implanted by Sm ions under different implantation and annealing conditions 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 1, 页码: 429-432 作者:  Zhang ML 收藏  |  浏览/下载：65/4  |  提交时间：2011/07/07 GaN  Ferromagnetic  Implantation  Annealing   The influence of the 1st AlN and the 2nd GaN layers on properties of AlGaN/2nd AlN/2nd GaN/1st AlN/1st GaN structure 期刊论文  OAI收割 applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 104, 期号: 4, 页码: 1211-1216 作者:  Bi Y;  Lin DF;  Peng EC 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2011/09/14 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS  ALGAN/GAN/INGAN/GAN DH-HEMTS  MILLIMETER-WAVE APPLICATIONS  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  HETEROJUNCTION FETS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  CONFINEMENT  PERFORMANCE  BARRIERS