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浏览/检索结果: 共81条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Properties of Zn-Doped AlSb Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition 期刊论文  OAI收割 COATINGS, 2019, 卷号: 9, 期号: 2 作者:  Tang, Ping;  Wang, Weimin;  Li, Bing;  Feng, Lianghuan;  Zeng, Guanggen   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2021/05/06 AlSb:Zn films  decreased band gap  deliquescence  PN junction   InAs/GaSb superlattice resonant tunneling diode photodetector with InAs/AlSb double barrier structure 期刊论文  OAI收割 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: 114, 页码: 053509 作者:  Biying Nie;   Jianliang Huang;   Chengcheng Zhao;   Wenjun Huang;   Yanhua Zhang;   Yulian Cao;   Wenquan Ma   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/07/30 中红外超晶格带间跃迁激光器及其制备方法 专利  OAI收割 专利号: CN108988125A, 申请日期: 2018-12-11, 公开日期: 2018-12-11 作者:  张一;  牛智川;  张宇;  徐应强;  杨成奥   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04 作者:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/26 Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04 作者:  唐吉龙;  魏志鹏;  方铉;  房丹;  高娴   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 Structural, electrical and optical properties of AlSb thin films deposited by pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2017, 卷号: 692, 页码: 22-25 作者:  Tang, Ping;  Li, Bing;  Feng, Lianghuan   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/11/20 Deposition - Efficiency - Energy gap - Optical properties - Pulsed laser deposition - Pulsed lasers - Solar absorbers - Solar cells - Solar power generation - Zinc sulfide   Pushing Detection Wavelength Toward 1 μm by Type II InAs/GaAsSb Superlattices With AlSb Insertion Layers 期刊论文  OAI收割 IEEE Electron Device Letters, 2016, 卷号: 37, 期号: 9, 页码: 1166 - 1169 Yanhua Zhang; Wenquan Ma; Jianliang Huang; Yulian Cao; Ke Liu; Wenjun Huang; Chengcheng Zhao; Haiming Ji; Tao Yang 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2017/03/10 InAs homoepitaxy and InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes on InAs substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2016, 卷号: 443, 页码: 85-89 Wei Xiang; Guowei Wang; Hongyue Hao; Yongping Liao; Xi Han; Lichun Zhang; Yingqiang Xu; Zhengwei Ren; Haiqiao Ni; Zhenhong He; Zhichuan Niu 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2017/03/16 GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2016, 卷号: 119, 期号: 17, 页码: 175301 Xiren Chen; Junliang Xing; Liangqing Zhu; F.-X. Zha; Zhichuan Niu; Shaoling Guo; Jun Shao 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2017/03/16 Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文  OAI收割 chin. phys. lett., 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 018101 Hai-Long Yu; Hao-Yue Wu; Hai-Jun Zhu; Guo-Feng Song; Yun Xu 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16