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采集方式

• OAI收割 [8]
• iSwitch采集 [3]

内容类型

• 期刊论文 [10]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2013 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Room-temperature plasmonic resonant absorption for grating-gate GaN HEMTs in far infrared terahertz domain 期刊论文  OAI收割 Opt Quant Electron, 2013, 卷号: 45, 期号: 7 作者:  W.D.Hu L.Wang X.S.Chen N.Guo J.S.Miao A.Q.Yu W.Lu   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/11/10 Plasmonicresonantabsorption  Gratinggate  Finitedifferencetimedomain  (Fdtd)Numericalsimulation  Plasmonwave  Farinfraredterahertzdetection  Ganhemts   A theoretical calculation of the impact of gan cap and alxga1-xn barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in a gan/alxga1-xn/gan heterostructure 期刊论文  iSwitch采集 Ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275 作者:  Liu, Guipeng;  Wu, Ju;  Lu, Yanwu;  Zhang, Biao;  Li, Chengming 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Cap-thickness-fluctuation (ctf) and barrierthickness fluctuation (btf) scattering  Interface roughness scattering  Two dimensional electron gas (2deg)   High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   钝化前表面预处理对AlGaN/GaN HEMTs性能的影响 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 5，329-333 作者:  李诚瞻;  刘丹;  郑英奎;  刘新宇;  刘键   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/27 Algan/gan  Hemts  钝化  表面预处理  初始氧化层   High-performance 2 mm gate width GaNHEMTs on 6H-SiC with output power of 22.4 W @ 8 GHz 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 Wang, XL; Chen, TS; Xiao, HL; Wang, CM; Hu, GX; Luo, WJ; Tang, J; Guo, LC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：77/1  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMTs  SiC  power   等离子体刻蚀凹栅槽影响AlGaN／GaNHEMT栅电流的机理 期刊论文  OAI收割 半 导 体 学 报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 5,1777_1781 作者:  刘新宇;  李诚瞻;  庞磊;  黄俊;  刘键   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/05/26 等离子体刻蚀   Influence of aln interfacial layer on electrical properties of high-al-content al0.45ga0.55n/gan hemt structure 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 作者:  Wang, Cuimei;  Wang, Xiaoliang;  Hu, Guoxin;  Wang, Junxi;  Li, Jianping 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Two-dimensional electron gas  Mocvd   Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, CM; Wang, XL; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：119/30  |  提交时间：2010/03/29 HIGH BREAKDOWN VOLTAGE  MOBILITY TRANSISTORS  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  GANHEMTS   Influence of AlN interfacial layer on electrical properties of high-Al-content Al0.45Ga0.55N/GaN HEMT structure 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 253, 期号: 2, 页码: 762-765 Wang CM (Wang Cuimei); Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Wang JX (Wang Junxi); Li HP (Li Jianping); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 AlGaN/AlN/GaN  two-dimensional electron gas  MOCVD  ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  POLARIZATION  TRANSISTORS  GANHEMTS  GAS   Broadband microwave noise characteristics of high-linearity composite-channel Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMTs 期刊论文  OAI收割 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2005, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: 521-523 Cheng, ZQ; Liu, J; Zhou, YG; Cai, Y; Chen, KJ; Lau, KM 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 PERFORMANCE  GANHEMTS  DC  RF