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浏览/检索结果: 共578条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-quality bi2te3 single crystalline films on flexible substrates and bendable photodetectors 期刊论文  iSwitch采集 Chinese physics letters, 2016, 卷号: 33, 期号: 10, 页码: 5 作者:  Liu, Yu-Cong;  Chen, Jia-Dong;  Deng, Hui-Yong;  Hu, Gu-Jin;  Chen, Xiao-Shuang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/09 Surface Oxidation Properties in a Topological Insulator Bi2Te3 Film 期刊论文  OAI收割 CHIN.PHYS.LETT., 2013, 卷号: 30, 期号: 10 作者:  GUOJian-Hua QIUFeng ZHANGYun DENGHui-Yong HUGu-Jin LIXiao-Nan YUGuo-Lin DAINing   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2014/11/10 Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE 期刊论文  OAI收割 PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE, 2012, 卷号: 209, 期号: 10, 页码: 2041 Huang, SL; Ji, ZW; Zhao, MW; Zhang, L; Guo, HY; Liu, BL; Xu, XG; Guo, QX 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 VAPOR-PHASE EPITAXY  HOT-WALL EPITAXY  ZINC TELLURIDE  SURFACE-MORPHOLOGY  PHOTOLUMINESCENCE  STRAIN  LAYERS  LUMINESCENCE  ACCEPTOR  DEFECTS   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Effect of antimony irradiation on InAs/Sb:GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75010 作者:  Yang T;  Yang XG;  Wang KF 收藏  |  浏览/下载：65/2  |  提交时间：2011/07/05 HIGH-DENSITY  TEMPERATURE-DEPENDENCE  SELF-FORMATION  LAYERS  WELL  MBE   High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD 期刊论文  OAI收割 semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013 Wu CM; Zhang BP; Shang JZ; Cai LE; Zhang JY; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：64/3  |  提交时间：2011/07/05 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  PHASE EPITAXY  MIRRORS  GAN  WAVELENGTHS   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: art. no. 068103 作者:  Su SJ 收藏  |  浏览/下载：93/5  |  提交时间：2011/07/07 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy   Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519 Yu JL; Chen YH; Jiang CY; Liu Y; Ma H 收藏  |  浏览/下载：36/4  |  提交时间：2011/07/05 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  INVERSION ASYMMETRY  HETEROSTRUCTURES  SEGREGATION  INTERFACE   Effects of ultra-low Al alloying In(Al) As layer on the formation and evolution of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 9, 页码: article no.94311 作者:  Xu B;  Zhou GY;  Ye XL;  Zhang HY 收藏  |  浏览/下载：53/5  |  提交时间：2011/07/05 SELF-ORGANIZED ISLANDS  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  SURFACES  EMISSION  DENSITY  SIZE   Strained and strain-relaxed epitaxial Ge(1-x)Sn(x) alloys on Si(100) substrates 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 68103 Wang, W; Su, SJ; Zheng, J; Zhang, GZ; Zuo, YH; Cheng, BW; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/02/06 GeSn alloys  strained  strain-relaxed  molecular beam epitaxy