机构

• 西安光学精密机械研... [22]
• 半导体研究所 [9]
• 物理研究所 [3]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 长春光学精密机械与物... [1]
• 新疆理化技术研究所 [1]
• 更多

采集方式

• OAI收割 [35]
• iSwitch采集 [4]

内容类型

• 专利 [22]
• 期刊论文 [16]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]
• 2018 [1]
• 2017 [1]
• 2016 [1]
• 2013 [1]
• 2012 [5]
• 更多

学科主题

• 半导体材料 [3]
• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共39条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 1 meV electron irradiation and post-annealing effects of GaInAsN diluted nitride alloy with 1 eV bandgap energy 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2020, 卷号: 709, 期号: 9, 页码: 1-5 作者:  Sailai, M (Sailai, Momin)[ 1 ];  Lei, QQ (Lei, Qi Qi)[ 1,2 ];  Aierken, A (Aierken, Abuduwayiti)[ 1,3 ];  Heini, M (Heini, Maliya)[ 1,4 ];  Zhao, XF (Zhao, Xiao Fan)[ 1 ]   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/10/23 Gallium indium arsenide nitride alloy  Electron irradiation  Photoluminescence  Thermal annealing  Arrhenius plot   Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文  OAI收割 Light-Science & Applications, 2018, 卷号: 7, 页码: 6 作者:  Sun, Y.;  Zhou, K.;  Feng, M. X.;  Li, Z. C.;  Zhou, Y.   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/09/17 x-ray-diffraction  high-power  gan  dislocation  relaxation  films  Optics   Dioda laserowa na bazie stopu AllnGaN 专利  OAI收割 专利号: PL228535B1, 申请日期: 2017-11-06, 公开日期: 2018-04-30 作者:  STAŃCZYK SZYMON;  KAFAR ANNA;  CZERNECKI ROBERT;  SUSKI TADEUSZ;  PERLIN PIOTR   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Raman investigation of lattice defects and stress induced in InP and GaN films by swift heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 372, 页码: 29-37 作者:  Hu, P. P.;  Liu, J.;  Zhang, S. X.;  Maaz, K.;  Zeng, J.   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2018/05/31 InP  GaN  Swift heavy ion irradiation  Raman shift  Defects   Gallium nitride-based semiconductor laser device, and method for fabricating gallium nitride-based semiconductor laser device 专利  OAI收割 专利号: US8477818, 申请日期: 2013-07-02, 公开日期: 2013-07-02 作者:  KUMANO, TETSUYA;  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI;  ENYA, YOHEI;  YANASHIMA, KATSUNORI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Semi-polar nitride-based light emitting structure and method of forming same 专利  OAI收割 专利号: US8330144, 申请日期: 2012-12-11, 公开日期: 2012-12-11 作者:  STRITTMATTER, ANDRE;  JOHNSON, NOBLE M.;  TEEPE, MARK;  CHUA, CHRISTOPHER L.;  YANG, ZHIHONG   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 High indium containing InGaN substrates for long wavelength optical devices 专利  OAI收割 专利号: US8306081, 申请日期: 2012-11-06, 公开日期: 2012-11-06 作者:  SCHMIDT, MATHEW;  D'EVELYN, MARK P.   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 Method of making nitride semiconductor laser, method of making epitaxial wafer, and nitride semiconductor laser 专利  OAI收割 专利号: US8295317, 申请日期: 2012-10-23, 公开日期: 2012-10-23 作者:  UENO, MASAKI;  KYONO, TAKASHI   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 Gallium nitride-based semiconductor optical device, method of fabricating gallium nitride-based semiconductor optical device, and epitaxial wafer 专利  OAI收割 专利号: US8228963, 申请日期: 2012-07-24, 公开日期: 2012-07-24 作者:  ENYA, YOHEI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  OSADA, HIDEKI;  ISHIBASHI, KEIJI;  AKITA, KATSUSHI   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Plasmonic Nanolaser Using Epitaxially Grown Silver Film 期刊论文  OAI收割 SCIENCE, 2012, 卷号: 337, 期号: 6093, 页码: 450 Lu, YJ; Kim, J; Chen, HY; Wu, CH; Dabidian, N; Sanders, CE; Wang, CY; Lu, MY; Li, BH; Qiu, XG; Chang, WH; Chen, LJ; Shvets, G; Shih, CK; Gwo, S 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 LASERS