机构

• 近代物理研究所 [7]
• 国家空间科学中心 [1]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 期刊论文 [9]

发表日期

• 2022 [1]
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学科主题

• 空间环境 [1]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Impact of incident direction on neutron-induced single-bit and multiple-cell upsets in 14 nm FinFET and 65 nm planar SRAMs 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2022, 卷号: 31, 期号: 12, 页码: 126103 作者:  Yang, SH;  Zhang, ZG;  Lei, ZF;  Huang, Y;  Xi, K   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2023/11/09 neutron  fin field-effect transistor (FinFET)  single event upset (SEU)  Monte-Carlo simulation   Multiple Layout-Hardening Comparison of SEU-Mitigated Filp-Flops in 22-nm UTBB FD-SOI Technology 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2020, 卷号: 67, 期号: 1, 页码: 374-381 作者:  Cai, Chang;  Liu, Tianqi;  Zhao, Peixiong;  Fan, Xue;  Huang, Hongyang   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2022/01/19 D filp-flops (DFFs)  heavy ions  radiation hardening  single-event upsets (SEUs)  ultrathin body and buried oxide fully depleted silicon on insulator (UTBB FDSOI)   SEU tolerance improvement in 22 nm UTBB FDSOI SRAM based on a simple 8T hardened cell 期刊论文  OAI收割 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 100, 页码: 6 作者:  Cai, C.;  Zhao, P. X.;  Xu, L. W.;  Liu, T. Q.;  Li, D. Q.   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2022/01/19 UTBB FDSOI  Radiation hardened  8T  SRAM  Single event upset   Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie   |  收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Anomalous annealing of floating gate errors due to heavy ion irradiation 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2018, 卷号: 418, 页码: 80-86 作者:  Hou, Mingdong;  Zhao, Peixiong;  Luo, Jie;  Ji, Qinggang;  Ye, Bing   |  收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2018/05/31 Annealing  Flash memories  Heavy ions  Multiple cell upsets  Radiation effects   Heavy Ion Radiation Effects on a 130-nm COTS NVSRAM under Different Measurement Conditions 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2018, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 1119-1126 作者:  Liu, TQ;  Liu, J;  Xi, K;  Zhang, ZG   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/08/04 Azimuthal dependence of single-event and multiple-bit upsets in SRAM devices with anisotropic layout 期刊论文  OAI收割 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2015, 卷号: 26, 页码: 7 作者:  Duan Jing-Lai;  En Yun-Fei;  Xi Kai;  Mo Dan;  Luo Jie   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/05/31 Azimuth  Dual interlocked cell  Multiple-bit upset  Single event upset   高能重离子径迹结构对单粒子翻转的影响 期刊论文  OAI收割 空间科学学报, 2000, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 333-339 韩建伟 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2014/04/30 高能重离子  径迹结构  单粒子翻转  微电子芯片