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半導体レーザー 专利  OAI收割
专利号: JP1996213699A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20
作者:  辻村 歩;  大川 和宏;  上山 智;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
多層積層構造材料及び発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1996097511A, 申请日期: 1996-04-12, 公开日期: 1996-04-12
作者:  柄沢 武;  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子とその製造方法及びその製造装置 专利  OAI收割
专利号: JP1996088442A, 申请日期: 1996-04-02, 公开日期: 1996-04-02
作者:  林 茂生;  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザー素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995321409A, 申请日期: 1995-12-08, 公开日期: 1995-12-08
作者:  辻村 歩;  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995193278A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28
作者:  柄沢 武;  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995193328A, 申请日期: 1995-07-28, 公开日期: 1995-07-28
作者:  吉井 重雄;  林 茂生;  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体人工積層構造材料及び電流注入型発光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1995111359A, 申请日期: 1995-04-25, 公开日期: 1995-04-25
作者:  柄沢 武;  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レ-ザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995028097B2, 申请日期: 1995-03-29, 公开日期: 1995-03-29
作者:  大川 和宏;  三露 常男;  山崎 攻
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
結晶成長方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995019783B2, 申请日期: 1995-03-06, 公开日期: 1995-03-06
作者:  大川 和宏;  三露 常男;  山崎 攻
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1994314856A, 申请日期: 1994-11-08, 公开日期: 1994-11-08
作者:  大川 和宏;  三露 常男
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13