机构

• 西安光学精密机械研究... [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2010 [4]
• 2009 [1]
• 2003 [1]
• 1999 [1]
• 1993 [1]

学科主题

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010045165A, 申请日期: 2010-02-25, 公开日期: 2010-02-25 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  玉村 好司;  田才 邦彦;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 具有InP衬底的光半导体装置 专利  OAI收割 专利号: CN100514774C, 申请日期: 2009-07-15, 公开日期: 2009-07-15 作者:  岸野克巳;  野村一郎;  玉村好司;  中村均   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3425185B2, 申请日期: 2003-05-02, 公开日期: 2003-07-07 作者:  近藤 正彦;  魚見 和久;  中村 均   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体受発光装置及びその組立方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999346030A, 申请日期: 1999-12-14, 公开日期: 1999-12-14 作者:  嶋岡 誠;  中村 均;  芹沢 弘二;  松原 茂;  金谷 達憲   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1993129638A, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25 作者:  花谷 昌一;  中村 均   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体素子および半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21 作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26