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• 西安光学精密机械研... [11]

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• 专利 [11]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
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• 1999 [1]
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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1248322C, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2006-03-29 作者:  仓桥孝尚;  村上哲朗;  大山尚一;  中津弘志   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1610197A, 申请日期: 2005-04-27, 公开日期: 2005-04-27 作者:  滨冈治;  中津弘志;  市川英树   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光器件以及制造半导体发光器件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN1497746A, 申请日期: 2004-05-19, 公开日期: 2004-05-19 作者:  仓桥孝尚;  中津弘志;  村上哲朗;  大山尚一   |  收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999074557A, 申请日期: 1999-03-16, 公开日期: 1999-03-16 作者:  細羽 弘之;  中村 淳一;  中津 弘志;  倉橋 孝尚;  村上 哲朗   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2856374B2, 申请日期: 1998-11-27, 公开日期: 1999-02-10 作者:  中津 弘志;  佐々木 和明;  山本 修;  山本 三郎   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996316577A, 申请日期: 1996-11-29, 公开日期: 1996-11-29 作者:  ▲高▼橋 向星;  中津 弘志   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2554192B2, 申请日期: 1996-08-22, 公开日期: 1996-11-13 作者:  瀧口 治久;  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  坂根 千登勢   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2547459B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者:  滝口 治久;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  坂根 千登勢   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2547458B2, 申请日期: 1996-08-08, 公开日期: 1996-10-23 作者:  中津 弘志;  猪口 和彦;  厚主 文弘;  奥村 敏之;  滝口 治久   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996034334B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29 作者:  厚主 文弘;  中津 弘志;  猪口 和彦;  奥村 敏之;  関 章憲   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13