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• 西安光学精密机械研究... [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2010 [2]
• 2009 [3]
• 2008 [1]
• 2006 [3]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 制造半导体器件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101911258A, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08 作者:  中畑成二;  藤原伸介   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 生长氮化镓晶体的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21 作者:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101568671A, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 2009-10-28 作者:  中畑成二;  元木健作   |  收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101350333A, 申请日期: 2009-01-21, 公开日期: 2009-01-21 作者:  长田英树;  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  京野孝史   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101345221A, 申请日期: 2009-01-14, 公开日期: 2009-01-14 作者:  笠井仁;  石桥惠二;  中畑成二;  秋田胜史;  京野孝史   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18 单晶氮化镓基板、单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100435268C, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19 作者:  元木健作;  弘田龙;  冈久拓司;  中畑成二   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体基板及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1877877A, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2006-12-13 作者:  上松康二;  佐藤史隆;  弘田龙;  中畑成二;  中幡英章   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1275335C, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13 作者:  元木健作;  冈久拓司;  中畑成二;  弘田龙;  上松康二   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1790759A, 申请日期: 2006-06-21, 公开日期: 2006-06-21 作者:  元木健作;  冈久拓司   |  收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2020/01/18