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光アダプタ、レーザ装置、照明装置、加工装置、治療装置及び光通信装置 专利  OAI收割
专利号: JP2019105682A, 申请日期: 2019-06-27, 公开日期: 2019-06-27
作者:  門倉 一智;  久光 守;  井上 和哉;  西 亮祐
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/12/31
レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2019079854A, 申请日期: 2019-05-23, 公开日期: 2019-05-23
作者:  西 亮祐;  門倉 一智;  久光 守;  井上 和哉
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2000022268A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
作者:  久光 守;  野田 憲秀
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999054850A, 申请日期: 1999-02-26, 公开日期: 1999-02-26
作者:  久光 守
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1998190130A, 申请日期: 1998-07-21, 公开日期: 1998-07-21
作者:  井戸 豊;  橋本 豊之;  樫原 稔;  久光 守;  小林 裕
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995326816A, 申请日期: 1995-12-12, 公开日期: 1995-12-12
作者:  井戸 豊;  久光 守;  重定 頼和;  小林 裕;  樫原 稔
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1995273394A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者:  井戸 豊;  久光 守;  重定 頼和;  小林 裕;  樫原 稔
  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995273395A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20
作者:  井戸 豊;  久光 守;  重定 頼和;  小林 裕;  樫原 稔
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP1995263788A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:  井戸 豊;  久光 守;  重定 頼和;  小林 裕;  樫原 稔
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
两维漂移室的结构和性能 期刊论文  OAI收割
高能物理与核物理, 1987, 期号: 3, 页码: 300-307
作者:  方光银;  王孟奇;  王继华;  朱永生;  李晓光
收藏  |  浏览/下载：82/0  |  提交时间：2015/12/07