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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101478116B, 申请日期: 2012-01-25, 公开日期: 2012-01-25 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP4726572B2, 申请日期: 2011-04-22, 公开日期: 2011-07-20 作者:  井上 大二朗;  畑 雅幸;  別所 靖之   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置和光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101414732B, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2010-09-22 作者:  井上大二朗;  别所靖之;  畑雅幸;  野村康彦   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN100461564C, 申请日期: 2009-02-11, 公开日期: 2009-02-11 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器装置和它的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100459333C, 申请日期: 2009-02-04, 公开日期: 2009-02-04 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗;  山口勤   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光元件和半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101030696A, 申请日期: 2007-09-05, 公开日期: 2007-09-05 作者:     |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物系半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2007150371A, 申请日期: 2007-06-14, 公开日期: 2007-06-14 作者:  野村 康彦;  井上 大二朗;  畑 雅幸;  狩野 隆司   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006073644A, 申请日期: 2006-03-16, 公开日期: 2006-03-16 作者:  井上 大二朗;  畑 雅幸;  別所 靖之   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN1677781A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05 作者:  别所靖之;  畑雅幸;  井上大二朗   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13