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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2003 [1]
• 1999 [1]
• 1996 [2]
• 1995 [1]
• 1994 [1]
• 1993 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザ及び光変調器つき半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3419218B2, 申请日期: 2003-04-18, 公开日期: 2003-06-23 作者:  野村 良徳;  井須 俊郎   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/24 利得スイッチ半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1999214789A, 申请日期: 1999-08-06, 公开日期: 1999-08-06 作者:  野村 良徳;  越智 誠司;  井須 俊郎   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996264877A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11 作者:  大塚 健一;  今泉 昌之;  遠藤 康行;  吹田 宗義;  井須 俊郎   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1996191170A, 申请日期: 1996-07-23, 公开日期: 1996-07-23 作者:  遠藤 康行;  今泉 昌之;  吹田 宗義;  大塚 健一;  井須 俊郎   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13 光デバイス及びその製造方法並びに半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995176832A, 申请日期: 1995-07-14, 公开日期: 1995-07-14 作者:  杉本 博司;  後藤田 光伸;  井須 俊郎;  阿部 雄次;  大塚 健一   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置及びその製造方法並びに半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1994283817A, 申请日期: 1994-10-07, 公开日期: 1994-10-07 作者:  今泉 昌之;  大塚 健一;  井須 俊郎   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1993299773A, 申请日期: 1993-11-12, 公开日期: 1993-11-12 作者:  大塚 健一;  遠藤 康行;  今泉 昌之;  井須 俊郎   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13