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利用子基座条制造激光二极管单元的装置和方法 专利  OAI收割
专利号: CN103440874B, 申请日期: 2016-12-28, 公开日期: 2016-12-28
作者:  岛泽幸司;  进藤修;  土屋芳弘;  伊藤靖浩;  酒井贤司
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/24
発光素子用基板および発光装置 专利  OAI收割
专利号: JP2016219484A, 申请日期: 2016-12-22, 公开日期: 2016-12-22
作者:  寺田 和宏;  伊藤 修;  和田 聡
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30
光接続装置の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4524390B2, 申请日期: 2010-06-11, 公开日期: 2010-08-18
作者:  三上 修;  尾山 雄介;  小澤 秀明;  伊藤 哲;  小幡 雄介
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24
半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1574526A, 申请日期: 2005-02-02, 公开日期: 2005-02-02
作者:  伊藤启司;  木户口勋;  高山彻;  今藤修
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18
光結合デバイス 专利  OAI收割
专利号: JP3441385B2, 申请日期: 2003-06-20, 公开日期: 2003-09-02
作者:  三冨 修;  曲 克明;  伊藤 敏夫;  須崎 泰正;  川口 悦弘
  |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/24
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP3040262B2, 申请日期: 2000-03-03, 公开日期: 2000-05-15
作者:  今藤 修;  内藤 浩樹;  粂 雅博;  伊藤 国雄
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ形光増幅素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999112073A, 申请日期: 1999-04-23, 公开日期: 1999-04-23
作者:  伊藤 敏夫;  三富 修;  吉本 直人;  曲 克明
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
レーザダイオードの選別方法及びレーザダイオードの活性領域の応力の測定方法 专利  OAI收割
专利号: JP1995311238A, 申请日期: 1995-11-28, 公开日期: 1995-11-28
作者:  宮島 博文;  内藤 寿夫;  伊藤 之弘;  松井 謙;  鈴木 修司
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1994021568A, 申请日期: 1994-01-28, 公开日期: 1994-01-28
作者:  今藤 修;  内藤 浩樹;  粂 雅博;  伊藤 国雄
  |  收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2020/01/18