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• 西安光学精密机械研... [10]

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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 照明装置 专利  OAI收割 专利号: JP6112782B2, 申请日期: 2017-03-24, 公开日期: 2017-04-12 作者:  清水 裕一;  谷内 哲夫;  藤田 俊弘;  徳田 潤;  前田 重雄   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/23 光源裝置及照明裝置 专利  OAI收割 专利号: TW201405074A, 申请日期: 2014-02-01, 公开日期: 2014-02-01 作者:  清水裕一;  谷內哲夫;  藤田俊弘;  德田潤;  前田重雄   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 光源装置および照明装置 专利  OAI收割 专利号: JP2013254889A, 申请日期: 2013-12-19, 公开日期: 2013-12-19 作者:  清水 裕一;  谷内 哲夫;  藤田 俊弘;  徳田 潤;  前田 重雄   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 III族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3702700B2, 申请日期: 2005-07-29, 公开日期: 2005-10-05 作者:  柴田 直樹;  伊藤 潤;  千代 敏明;  野杁 静代;  渡邉 大志   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 III族窒化物系化合物半導体膜の成長方法及びIII族窒化物系化合物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3603713B2, 申请日期: 2004-10-08, 公开日期: 2004-12-22 作者:  千田 昌伸;  千代 敏明;  浅見 慎也;  伊藤 潤;  野杁 静代   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24 GaN系の半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP3517867B2, 申请日期: 2004-02-06, 公开日期: 2004-04-12 作者:  千代 敏明;  野杁 静代;  柴田 直樹;  伊藤 潤   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3344257B2, 申请日期: 2002-08-30, 公开日期: 2002-11-11 作者:  上村 俊也;  柴田 直樹;  伊藤 潤   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 GaN系の半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000261033A, 申请日期: 2000-09-22, 公开日期: 2000-09-22 作者:  伊藤 潤;  柴田 直樹;  千代 敏明;  野杁 静代   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999177140A, 申请日期: 1999-07-02, 公开日期: 1999-07-02 作者:  千代 敏明;  柴田 直樹;  伊藤 潤;  野杁 静代   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999145518A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28 作者:  伊藤 潤;  柴田 直樹;  上村 俊也   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13