机构

• 西安光学精密机械研究... [9]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2001 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [2]
• 1997 [3]
• 1994 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 量子井戸半導体レーザ装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3170601B2, 申请日期: 2001-03-23, 公开日期: 2001-05-28 作者:  伊賀 健一;  羽鳥 伸明;  小山 二三夫   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2019/12/24 電流狭窄層の形成方法および電流狭窄型面発光レ―ザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP3020167B1, 申请日期: 2000-01-14, 公开日期: 2000-03-15 作者:  伊賀 健一;  関口 茂昭;  小山 二三夫;  宮本 智之   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2952299B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-20 作者:  伊賀 健一;  茨木 晃;  古沢 浩太郎;  石川 徹   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光型半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2934678B2, 申请日期: 1999-06-04, 公开日期: 1999-08-16 作者:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  石川 徹   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 面発光型半導体レーザーの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2719631B2, 申请日期: 1997-11-21, 公开日期: 1998-02-25 作者:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 面発光型半導体レーザー装置 专利  OAI收割 专利号: JP2717212B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18 作者:  伊賀 健一;  石川 徹;  茨木 晃;  古沢 浩太郎   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 面発光型半導体レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2717213B2, 申请日期: 1997-11-14, 公开日期: 1998-02-18 作者:  伊賀 健一;  石川 徹   |  收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2020/01/18 多重量子障壁構造を有する光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994268329A, 申请日期: 1994-09-22, 公开日期: 1994-09-22 作者:  入川 理徳;  岩瀬 正幸;  佐々木 義高;  柏 享;  伊賀 健一   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994244509A, 申请日期: 1994-09-02, 公开日期: 1994-09-02 作者:  入川 理徳;  伊賀 健一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18