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浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 半導体光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2008282975A, 申请日期: 2008-11-20, 公开日期: 2008-11-20 作者:  須郷 満;  竹下 達也;  伊賀 龍三;  近藤 康洋   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体デバイスの作製方法 专利  OAI收割 专利号: JP2001015394A, 申请日期: 2001-01-19, 公开日期: 2001-01-19 作者:  大礒 義孝;  伊賀 龍三   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3082444B2, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-08-28 作者:  山田 武;  伊賀 龍三   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 多波長レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3019174B2, 申请日期: 2000-01-07, 公开日期: 2000-03-13 作者:  山田 武;  伊賀 龍三;  杉浦 英雄   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999026863A, 申请日期: 1999-01-29, 公开日期: 1999-01-29 作者:  竹下 達也;  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  福田 光男   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザと光増幅器を集積化した半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1999017276A, 申请日期: 1999-01-22, 公开日期: 1999-01-22 作者:  西谷 昭彦;  須郷 満;  伊賀 龍三;  竹下 達也   |  收藏  |  浏览/下载：103/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザおよびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1999004042A, 申请日期: 1999-01-06, 公开日期: 1999-01-06 作者:  須郷 満;  西谷 昭彦;  伊賀 龍三;  竹下 達也   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP1996222809A, 申请日期: 1996-08-30, 公开日期: 1996-08-30 作者:  松本 信一;  伊賀 龍三;  馬渡 宏泰;  福田 光男   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体光素子および製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996111565A, 申请日期: 1996-04-30, 公开日期: 1996-04-30 作者:  伊賀 龍三;  松本 信一;  湯田 正宏;  門田 好晃   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995249575A, 申请日期: 1995-09-26, 公开日期: 1995-09-26 作者:  満原 学;  杉浦 英雄;  伊賀 龍三   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13