机构

• 西安光学精密机械研... [15]
• 高能物理研究所 [2]
• 工程热物理研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [19]

内容类型

• 专利 [15]
• 会议论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2011 [2]
• 2010 [1]
• 2008 [1]
• 2007 [1]
• 2004 [1]
• 1998 [1]
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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 相场模拟高密度比两相流 会议论文  OAI收割 中国工程热物理学会(传热传质学), 西安, 2011 石万元; 冢田隆夫; 李建英; 王瑜 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2012/01/05 相场模拟高密度比两相流 会议论文  OAI收割 西安, 2011 作者:  李建英;  石万元;  冢田隆夫;  王瑜   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/05 生长氮化镓晶体的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101086963B, 申请日期: 2010-04-21, 公开日期: 2010-04-21 作者:  冈久拓司;  元木健作;  上松康二;  中畑成二;  弘田龙   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26 面状発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP2008258171A, 申请日期: 2008-10-23, 公开日期: 2008-10-23 作者:  森岡 達也;  石田 真也;  花岡 大介;  種谷 元隆;  藤田 茂夫   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体基板、窒化物半導体レーザ素子、窒化物半導体基板の製造方法、および窒化物半導体レーザ素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007189221A, 申请日期: 2007-07-26, 公开日期: 2007-07-26 作者:  伊藤 茂稔;  上田 吉裕;  湯浅 貴之;  種谷 元隆;  元木 健作   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3621155B2, 申请日期: 2004-11-26, 公开日期: 2005-02-16 作者:  元田 隆;  加藤 学   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 光半導体装置 专利  OAI收割 专利号: JP1998079554A, 申请日期: 1998-03-24, 公开日期: 1998-03-24 作者:  元田 隆;  小野 健一   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN1159084A, 申请日期: 1997-09-10, 公开日期: 1997-09-10 作者:  元田隆;  小野健一   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体器件、半导体激光器和高电子迁移率晶体管 专利  OAI收割 专利号: CN1153411A, 申请日期: 1997-07-02, 公开日期: 1997-07-02 作者:  小野健一;  元田隆   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1997172220A, 申请日期: 1997-06-30, 公开日期: 1997-06-30 作者:  藤井 就亮;  元田 隆   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/13