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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 GaAs隧道结及其制备方法 专利  OAI收割 专利类型: 发明, 专利号: CN103367480B, 申请日期: 2016-04-27, 作者:  甘兴源;  郑新和;  吴渊渊;  王海啸;  王乃明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2017/03/13 半导体发光装置 专利  OAI收割 专利号: CN102214896A, 申请日期: 2011-10-12, 公开日期: 2011-10-12 作者:  前田修;  汐先政贵;  佐藤进;  荒木田孝博;  内田史朗   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN102122792A, 申请日期: 2011-07-13, 公开日期: 2011-07-13 作者:  荒木田孝博;  内田史朗;  汐先政贵;  前田修   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 光素子集積装置およびその製造方法、並びに面発光レーザ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2011096857A, 申请日期: 2011-05-12, 公开日期: 2011-05-12 作者:  荒木田 孝博;  内田 史朗;  汐先 政貴;  前田 修   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 光モジュール 专利  OAI收割 专利号: JP2011096319A, 申请日期: 2011-05-12, 公开日期: 2011-05-12 作者:  内田 史朗;  荒木田 孝博;  汐先 政貴;  前田 修   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光装置 专利  OAI收割 专利号: JP4001956B2, 申请日期: 2007-08-24, 公开日期: 2007-10-31 作者:  内田 史朗   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 多光束半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14 作者:  东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文;  安斋信一   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1822458A, 申请日期: 2006-08-23, 公开日期: 2006-08-23 作者:  我妻新一;  内田史朗   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP2005235865A, 申请日期: 2005-09-02, 公开日期: 2005-09-02 作者:  我妻 新一;  内田 史朗   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザー 专利  OAI收割 专利号: JP3493920B2, 申请日期: 2003-11-21, 公开日期: 2004-02-03 作者:  内田 史朗   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/01/18