中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [7]
采集方式
OAI收割 [7]
内容类型
专利 [7]
发表日期
1997 [1]
1996 [3]
1995 [2]
1993 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共7条，第1-7条
帮助
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1997232691A, 申请日期: 1997-09-05, 公开日期: 1997-09-05
作者:
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：14/0
|
提交时间：2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1996288587A, 申请日期: 1996-11-01, 公开日期: 1996-11-01
作者:
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2020/01/13
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1996264882A, 申请日期: 1996-10-11, 公开日期: 1996-10-11
作者:
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：12/0
|
提交时间：2020/01/13
光半導体装置
专利
OAI收割
专利号: JP1996046286A, 申请日期: 1996-02-16, 公开日期: 1996-02-16
作者:
倉掛 博英
;
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1995263791A, 申请日期: 1995-10-13, 公开日期: 1995-10-13
作者:
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2020/01/13
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1995131109A, 申请日期: 1995-05-19, 公开日期: 1995-05-19
作者:
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP1993347454A, 申请日期: 1993-12-27, 公开日期: 1993-12-27
作者:
倉掛 博英
;
内田 徹
|
收藏
|
浏览/下载：10/0
|
提交时间：2020/01/18
