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机构
西安光学精密机械研... [11]
采集方式
OAI收割 [11]
内容类型
专利 [11]
发表日期
2013 [1]
2008 [1]
2006 [1]
2005 [2]
2000 [1]
1999 [2]
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発光装置、表示装置および照明装置
专利
OAI收割
专利号: JP2013201434A, 申请日期: 2013-10-03, 公开日期: 2013-10-03
作者:
竹内 肇
;
酒井 亮
;
大屋 恭正
;
石井 努
;
中川 勝利
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提交时间:2019/12/31
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP4198209B2, 申请日期: 2008-10-10, 公开日期: 2008-12-17
作者:
内藤 由美
;
大久保 敦
;
藤本 毅
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP3875799B2, 申请日期: 2006-11-02, 公开日期: 2007-01-31
作者:
内藤 由美
;
岡田 知
;
藤本 毅
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3645320B2, 申请日期: 2005-02-10, 公开日期: 2005-05-11
作者:
藤本 毅
;
内藤 由美
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP3645343B2, 申请日期: 2005-02-10, 公开日期: 2005-05-11
作者:
藤本 毅
;
内藤 由美
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP2000058969A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:
内藤 由美
;
藤本 毅
;
岡田 知
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ装置
专利
OAI收割
专利号: JP1999163459A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者:
内藤 由美
;
大枝 靖雄
;
藤本 毅
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999154775A, 申请日期: 1999-06-08, 公开日期: 1999-06-08
作者:
藤本 毅
;
内藤 由美
;
大久保 敦
;
山田 義和
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提交时间:2020/01/13
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997092936A, 申请日期: 1997-04-04, 公开日期: 1997-04-04
作者:
内藤 由美
;
藤本 毅
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ素子
专利
OAI收割
专利号: JP1997083070A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28
作者:
大枝 靖雄
;
藤本 毅
;
渋谷 博
;
内藤 由美
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提交时间:2020/01/13