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离子在近电子能损阈值能区诱发云母表面小丘形成 期刊论文  OAI收割
原子能科学技术, 2019, 卷号: 53, 期号: 05, 页码: 769-775
作者:  靳博;  魏龙;  牛犇;  张琦;  李鹏飞
  |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/10/19
一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者:  王鑫华;  刘新宇;  黄森;  赵超;  王文武
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/03/27
Evolution of traps in TiN/O 3 -sourced Al 2 O 3 /GaN gate structures with thermal annealing temperature 期刊论文  OAI收割
Journal of Vacuum Science & Technology B, 2018
作者:  Xiang JJ(项金娟);  Liu XY(刘新宇);  Huang S(黄森);  Bao QL(包琦龙);  Wang XH(王鑫华)
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19
高电子迁移率晶体管及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210343035.6, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2014-03-26
作者:  罗军;  包琦龙;  邓坚;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2018/04/02
高电子迁移率晶体管的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210343034.1, 申请日期: 2016-06-08, 公开日期: 2014-03-26
作者:  罗军;  包琦龙;  邓坚;  赵超
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/06/13
硅基氮化镓材料MOCVD外延生长及器件研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2016
作者:  包琦龙
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/08/29
High Uniformity Normally-OFF GaN MIS-HEMTs Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 期刊论文  OAI收割
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2016, 卷号: 37, 期号: 12
作者:  Huang, Sen;  Liu, Xinyu;  Wang, Xinhua;  Kang, Xuanwu;  Zhang, Jinhan
收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2017/03/11
Effect of alloying temperature on the capacitance–voltage and current–voltage characteristics of low-pressure chemical vapor deposition SiNx/n-GaN MIS structures 期刊论文  OAI收割
Physics Status Solidi A, 2015
作者:  Wang XH(王鑫华);  Gao Z(高竹);  Bao QL(包琦龙);  Liu XY(刘新宇);  Ma XH(马晓华)
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2016/05/26
Effect of hydrogen carrier gas on AlN and AlGaN growth in AMEC Prismo D-Blues MOCVD platform 期刊论文  OAI收割
Journal of crystal growth, 2015
作者:  Zhao C(赵超);  Bao QL(包琦龙);  Luo J(罗军)
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/05/31
Mechanism of TMAl pre-seeding in AlN epitaxy on Si (111) substrate 期刊论文  OAI收割
Vacuum, 2013
作者:  Bao QL(包琦龙);  Luo J(罗军);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/10/30