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Investigation of dipole origin at high k dielectric hetero-junction interface 期刊论文  OAI收割
49th IEEE Semiconductor, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Wang WW(王文武);  Zhou LX(周丽星);  Wang XL(王晓磊);  Xiang JJ(项金娟)
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FPGA and ASIC implementation of reliable and effective architecture for a LTE downlink transmitter 期刊论文  OAI收割
IEICE Electronics Express, 2018
作者:  Ye TC(叶甜春);  Wu B(吴斌);  Wang Z(王洲)
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/22
Understanding dipole formation at dielectric/dielectric hetero-interface 期刊论文  OAI收割
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Jing Zhang;  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/05/20
Identification of interfacial defects in a Ge gate stack based on ozone passivation 期刊论文  OAI收割
Semiconductor Science and Technology, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/05/20
Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies 期刊论文  OAI收割
Microelectronic Engineering, 2018
作者:  Mao SJ(毛淑娟);  Wang GL(王桂磊);  Xu J(许静);  Zhang D(张丹);  Luo X(罗雪)
  |  收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2019/05/05
Comprehensive investigation of the interfacial charges and dipole in GeOx/Al2O3 gate 期刊论文  OAI收割
Japanese Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Wang YR(王艳蓉);  Xiang JJ(项金娟);  Yang H(杨红);  Zhang J(张静);  Zhao C(赵超)
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半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510580584.9, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2015-11-25
作者:  叶甜春;  霍宗亮
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三维半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510680212.3, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-02-24
作者:  叶甜春;  霍宗亮
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三维半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201510885268.2, 申请日期: 2018-09-18, 公开日期: 2016-04-06
作者:  叶甜春
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Retargeting of forbidden-dense-alternate structures for lithography capability improvement in advanced nodes 期刊论文  OAI收割
APPLIED OPTICS, 2018
作者:  He JF(何建芳);  Dong LS(董立松);  Ye TC(叶甜春);  Zhao LJ(赵利俊);  Wei YY(韦亚一)
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