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浏览/检索结果: 共8条,第1-8条 帮助

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GaN基半导体器件 专利  OAI收割
专利号: CN100440656C, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2008-12-03
作者:  
后藤修;  松本治;  佐佐木智美;  池田昌夫
  |  收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/26
光半导体装置 专利  OAI收割
专利号: CN101242078A, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
作者:  
上田诚;  后藤修;  和泉茂一
  |  收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/01/18
多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 专利  OAI收割
专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19
作者:  
东条刚;  矢吹义文;  安斋信一;  日野智公;  后藤修
  |  收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体光发射装置以及一种装置 专利  OAI收割
专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:  
朝妻庸纪;  冨谷茂隆;  玉村好司;  东条刚;  后藤修
  |  收藏  |  浏览/下载:61/0  |  提交时间:2020/01/18
多光束半导体激光器 专利  OAI收割
专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14
作者:  
东条刚;  日野智公;  后藤修;  矢吹义文
  |  收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/26
氮化物半导体,半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
作者:  
后藤修;  浅野竹春;  竹谷元伸;  簗克典;  池田真朗
  |  收藏  |  浏览/下载:12/0  |  提交时间:2019/12/26
半导体激光器的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:  
后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
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半导体激光器的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:  
后藤修;  山田光志;  八重樫浩树;  堀川英明
  |  收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26