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西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2008 [3]
2007 [3]
2004 [2]
学科主题
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浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
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GaN基半导体器件
专利
OAI收割
专利号: CN100440656C, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2008-12-03
作者:
后藤修
;
松本治
;
佐佐木智美
;
池田昌夫
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提交时间:2019/12/26
光半导体装置
专利
OAI收割
专利号: CN101242078A, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2008-08-13
作者:
上田诚
;
后藤修
;
和泉茂一
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提交时间:2020/01/18
多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置
专利
OAI收割
专利号: CN100376064C, 申请日期: 2008-03-19, 公开日期: 2008-03-19
作者:
东条刚
;
矢吹义文
;
安斋信一
;
日野智公
;
后藤修
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提交时间:2019/12/26
半导体光发射装置以及一种装置
专利
OAI收割
专利号: CN1933203A, 申请日期: 2007-03-21, 公开日期: 2007-03-21
作者:
朝妻庸纪
;
冨谷茂隆
;
玉村好司
;
东条刚
;
后藤修
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提交时间:2020/01/18
多光束半导体激光器
专利
OAI收割
专利号: CN1305193C, 申请日期: 2007-03-14, 公开日期: 2007-03-14
作者:
东条刚
;
日野智公
;
后藤修
;
矢吹义文
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提交时间:2019/12/26
氮化物半导体,半导体器件及其制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1296970C, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2007-01-24
作者:
后藤修
;
浅野竹春
;
竹谷元伸
;
簗克典
;
池田真朗
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
后藤修
;
山田光志
;
八重樫浩树
;
堀川英明
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提交时间:2019/12/26
半导体激光器的制造方法
专利
OAI收割
专利号: CN1136636C, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
作者:
后藤修
;
山田光志
;
八重樫浩树
;
堀川英明
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提交时间:2019/12/26