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発振波長可変半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP2000049418A, 申请日期: 2000-02-18, 公开日期: 2000-02-18
作者:  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31
光半導体装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999261168A, 申请日期: 1999-09-24, 公开日期: 1999-09-24
作者:  山田 光志;  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
集積型半導体光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999154770A, 申请日期: 1999-06-08, 公开日期: 1999-06-08
作者:  大柴 小枝子
  |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2020/01/18
集積型半導体光素子 专利  OAI收割
专利号: JP1999135876A, 申请日期: 1999-05-21, 公开日期: 1999-05-21
作者:  大柴 小枝子;  中村 幸治;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31
変調器集積化半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999087839A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999087851A, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
作者:  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999068222A, 申请日期: 1999-03-09, 公开日期: 1999-03-09
作者:  中村 幸治;  大柴 小枝子;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
光パルス発生装置 专利  OAI收割
专利号: JP1999040889A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者:  大柴 小枝子
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13
半導体レーザ素子及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999040897A, 申请日期: 1999-02-12, 公开日期: 1999-02-12
作者:  大柴 小枝子;  山内 義則;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体光デバイスの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1998209568A, 申请日期: 1998-08-07, 公开日期: 1998-08-07
作者:  堀川 英明;  中村 幸治;  山内 義則;  大柴 小枝子
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31