中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码？
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
西安光学精密机械研究... [8]
采集方式
OAI收割 [8]
内容类型
专利 [8]
发表日期
2009 [1]
2000 [4]
1999 [1]
1998 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共8条，第1-8条
帮助
条数/页：
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式：
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2009206463A, 申请日期: 2009-09-10, 公开日期: 2009-09-10
作者:
大矢 昌輝
|
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2020/01/18
自励発振型半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2000323780A, 申请日期: 2000-11-24, 公开日期: 2000-11-24
作者:
大矢 昌輝
|
收藏
|
浏览/下载：4/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体レーザ
专利
OAI收割
专利号: JP2000058963A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:
大矢 昌輝
;
藤井 宏明
|
收藏
|
浏览/下载：28/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体発光素子
专利
OAI收割
专利号: JP2000058982A, 申请日期: 2000-02-25, 公开日期: 2000-02-25
作者:
大矢 昌輝
|
收藏
|
浏览/下载：5/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP2000036640A, 申请日期: 2000-02-02, 公开日期: 2000-02-02
作者:
藤井 宏明
;
大矢 昌輝
|
收藏
|
浏览/下载：22/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体装置及びその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999145546A, 申请日期: 1999-05-28, 公开日期: 1999-05-28
作者:
大矢 昌輝
;
土井 健嗣
|
收藏
|
浏览/下载：9/0
|
提交时间：2020/01/13
半導体レーザの製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1998321948A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04
作者:
大矢 昌輝
|
收藏
|
浏览/下载：3/0
|
提交时间：2020/01/18
半導体発光素子とその製造方法
专利
OAI收割
专利号: JP1999163463A, 公开日期: 1999-06-18
作者:
大矢 昌輝
|
收藏
|
浏览/下载：6/0
|
提交时间：2019/12/26
