机构

• 西安光学精密机械研... [14]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [15]

内容类型

• 专利 [14]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2015 [1]
• 2009 [1]
• 2005 [3]
• 2000 [3]
• 1999 [1]
• 1998 [3]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共15条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 光学部品の固定構造 专利  OAI收割 专利号: JP2015143732A, 申请日期: 2015-08-06, 公开日期: 2015-08-06 作者:  古市 浩朗;  天野 泰雄;  岡村 昌幸;  市川 文仁;  小笠原 浩   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 窒化物半導体多層堆積基板および窒化物半導体多層堆積基板の形成方法 专利  OAI收割 专利号: JP4298023B2, 申请日期: 2009-04-24, 公开日期: 2009-07-15 作者:  岩谷 素顕;  竹内 哲也;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 二硼化物单晶衬底与使用它的半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1678772A, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2005-10-05 作者:  大谷茂树;  木下博之;  松波弘之;  须田淳;  天野浩   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器 专利  OAI收割 专利号: CN1193470C, 申请日期: 2005-03-16, 公开日期: 2005-03-16 作者:  竹内哲也;  渡边智;  金子和;  山田范秀;  天野浩   |  收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 ~(208)Hgβ~-衰变γ纲图 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2000, 卷号: 2000, 期号: 09, 页码: 823-828 张立,胡青元,赵进华,郑纪文,李占奎,李世红,甘再国,于涌,范红梅,郭斌,张天梅,王春芳,王同庆,靳根明,森田浩介,吉田敦,蒲越虎,工藤久昭,矢野安重   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 衰变纲图  能级  Γ-γ关联   半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000196146A, 申请日期: 2000-07-14, 公开日期: 2000-07-14 作者:  山口 栄雄;  赤▲崎▼ 勇;  天野 浩   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2000124552A, 申请日期: 2000-04-28, 公开日期: 2000-04-28 作者:  竹内 哲也;  金子 和;  山田 範秀;  天野 浩;  赤▲崎▼ 勇   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2995187B1, 申请日期: 1999-10-22, 公开日期: 1999-12-27 作者:  山口 栄雄;  赤▲崎▼ 勇;  天野 浩   |  收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN系素子 专利  OAI收割 专利号: JP1998173227A, 申请日期: 1998-06-26, 公开日期: 1998-06-26 作者:  小池 正好;  永井 誠二;  赤崎 勇;  天野 浩   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31