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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• OAI收割 [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2011 [3]
• 2010 [3]
• 2009 [1]

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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体激光元件 专利  OAI收割 专利号: CN102084560A, 申请日期: 2011-06-01, 公开日期: 2011-06-01 作者:  太田征孝;  伊藤茂稔;  津田有三;  麦华路巴武吕;  高桥幸司   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 氮化物半导体晶片、氮化物半导体元件及其制造方法以及半导体装置 专利  OAI收割 专利号: CN101997268A, 申请日期: 2011-03-30, 公开日期: 2011-03-30 作者:  太田征孝;  神川刚   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件 专利  OAI收割 专利号: CN101944480A, 申请日期: 2011-01-12, 公开日期: 2011-01-12 作者:  神川刚;  太田征孝   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体晶片、氮化物半导体芯片及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101902014A, 申请日期: 2010-12-01, 公开日期: 2010-12-01 作者:  神川刚;  太田征孝   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/31 氮化物半导体发光装置的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101867149A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20 作者:  神川刚;  太田征孝   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体发光芯片、其制造方法以及半导体光学装置 专利  OAI收割 专利号: CN101847823A, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29 作者:  神川刚;  太田征孝   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2009059797A, 申请日期: 2009-03-19, 公开日期: 2009-03-19 作者:  太田 征孝;  津田 有三   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18