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半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2010067868A, 申请日期: 2010-03-25, 公开日期: 2010-03-25
作者:  畑 雅幸;  竹内 邦生;  太田 潔
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP2009123772A, 申请日期: 2009-06-04, 公开日期: 2009-06-04
作者:  畑 雅幸;  太田 潔
  |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/13
化合物半導体のエッチング方法 专利  OAI收割
专利号: JP3850944B2, 申请日期: 2006-09-08, 公开日期: 2006-11-29
作者:  太田 潔;  後藤 壮謙
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/26
半導体レーザ素子とその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10
作者:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000183451A, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-06-30
作者:  林 伸彦;  太田 潔
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000091696A, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31
作者:  林 伸彦;  太田 潔
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体レーザ素子 专利  OAI收割
专利号: JP1997321385A, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1997-12-12
作者:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13