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浏览/检索结果: 共58条，第1-10条 帮助

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一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610033601.1, 申请日期: 2018-11-27, 公开日期: 2016-06-15
作者:  孟令款;  徐秋霞;  闫江
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/26
堆叠纳米线制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610080648.3, 申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2016-06-29
作者:  孟令款;  闫江;  徐秋霞
  |  收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/03/22
Influence of the hard masks profiles on formation of nanometer Si scalloped fins arrays 期刊论文  OAI收割
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 2018
作者:  Tongda Ma;  Zhang QZ(张青竹);  Hailing Tu;  Yin HX(殷华湘);  Feng Wei
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/20
嵌段共聚物自组装制造纳米结构的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610066983.8, 申请日期: 2018-06-26, 公开日期: 2016-05-11
作者:  孟令款;  闫江
  |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/03/21
Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process 期刊论文  OAI收割
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者:  Zhang QZ(张青竹);  Yin HX(殷华湘);  Meng LK(孟令款);  Yao JX(姚佳欣);  Li JJ(李俊杰)
  |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/05
定向自组装模板转移方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610067780.0, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2016-05-11
作者:  闫江;  孟令款
  |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/03/14
混合光学和电子束光刻方法 专利  OAI收割
专利号: CN201210353673.6, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2014-03-26
作者:  李春龙;  孟令款;  贺晓彬
  |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/14
一种硅深孔刻蚀方法 专利  OAI收割
专利号: CN201410571338.2, 申请日期: 2018-02-09, 公开日期: 2016-05-18
作者:  赵超;  李俊杰;  孟令款;  李春龙;  洪培真
  |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/03/14
Study of sigma-shaped source/drain recesses for embedded-SiGe pMOSFETs 期刊论文  OAI收割
Microelectronic Engineering, 2017
作者:  Zhu HL(朱慧珑);  Xu QX(徐秋霞);  Li JF(李俊峰);  Zhao C(赵超);  Henry Homayoun Radamson
  |  收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2018/07/09
22nm及以下技术节点CMOS器件先导刻蚀及其关键技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院大学, 2017
作者:  孟令款
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2017/08/23