机构

• 西安光学精密机械研究... [8]
• 生态环境研究中心 [1]

采集方式

• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [8]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]
• 2010 [1]
• 2000 [2]
• 1999 [1]
• 1996 [1]
• 1994 [3]
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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 青藏高原东缘半湿润沙地典型生态恢复模式的效果比较研究 期刊论文  OAI收割 生态学报, 2020, 卷号: 40, 期号: 20, 页码: 7410-7418 作者:  胡金娇;  周青平;  吕一河;  胡健;  陈有军   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2021/07/14 青藏高原  土地退化  沙地  植被恢复  评价   半导体激光器以及制造半导体激光器的方法 专利  OAI收割 专利号: CN101820135A, 申请日期: 2010-09-01, 公开日期: 2010-09-01 作者:  多田健太郎;  远藤健司;  深谷一夫;  奥田哲朗;  小林正英   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/31 自励発振型半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3123433B2, 申请日期: 2000-10-27, 公开日期: 2001-01-09 作者:  宮坂 文人;  堀田 等;  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3075346B2, 申请日期: 2000-06-09, 公开日期: 2000-08-14 作者:  沢野 博之;  堀田 等;  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2990009B2, 申请日期: 1999-10-08, 公开日期: 1999-12-13 作者:  沢野 博之;  小林 健一;  上野 芳康   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/26 A▲l▼GaInP半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2564813B2, 申请日期: 1996-10-03, 公开日期: 1996-12-18 作者:  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 埋め込み構造半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994080855B2, 申请日期: 1994-10-12, 公开日期: 1994-10-12 作者:  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 AlGaInP半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994237038A, 申请日期: 1994-08-23, 公开日期: 1994-08-23 作者:  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/01/18 埋め込み型半導体レ-ザ 专利  OAI收割 专利号: JP1994032338B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27 作者:  小林 健一   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26