中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页 机构 成果 学者
  
  1. CAS IR Grid
机构
采集方式
内容类型
发表日期
学科主题
筛选

浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助

条数/页： 排序方式：
II-VI族化合物半導体素子およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2010056119A, 申请日期: 2010-03-11, 公开日期: 2010-03-11
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  山口 恭司;  田才 邦彦;  中島 博
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体素子 专利  OAI收割
专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
作者:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均
  |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13
光路変換装置及びこれを用いた光モジュール 专利  OAI收割
专利号: JP2009145457A, 申请日期: 2009-07-02, 公开日期: 2009-07-02
作者:  山口 恭司
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31
半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4040192B2, 申请日期: 2007-11-16, 公开日期: 2008-01-30
作者:  山口 恭司;  小林 俊雅;  喜嶋 悟;  小林 高志;  朝妻 庸紀
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ装置 专利  OAI收割
专利号: JP2006147879A, 申请日期: 2006-06-08, 公开日期: 2006-06-08
作者:  山口 恭司
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13
氮化物半导体器件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1237578C, 申请日期: 2006-01-18, 公开日期: 2006-01-18
作者:  小林俊雅;  簗克典;  山口恭司;  中岛博
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
氮基半导体激光器件和其生产方法 专利  OAI收割
专利号: CN1457539A, 申请日期: 2003-11-19, 公开日期: 2003-11-19
作者:  山口恭司;  小林高志;  小林俊雅;  喜岛悟;  富冈聪
  |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体発光素子およびその製造方法ならびに光電子集積回路およびその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP2000022275A, 申请日期: 2000-01-21, 公开日期: 2000-01-21
作者:  山口 恭司;  土居 正人;  玉田 仁志
  |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ及びその製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1999163461A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18
作者:  玉田 仁志;  山口 恭司
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13