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浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体氧化设备和制造半导体元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102255242A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 作者:  佐藤俊一;  轴谷直人;  伊藤彰浩;  梅本真哉   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/31 光ヘッド装置及びホログラム素子 专利  OAI收割 专利号: JP2010003371A, 申请日期: 2010-01-07, 公开日期: 2010-01-07 作者:  山本 博昭;  西本 雅彦;  中西 直樹;  島田 直人;  奥田 拓也   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4123554B2, 申请日期: 2008-05-16, 公开日期: 2008-07-23 作者:  山本 直   |  收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2020/01/13 レーザ加工装置 专利  OAI收割 专利号: JP4047621B2, 申请日期: 2007-11-30, 公开日期: 2008-02-13 作者:  坂井 辰彦;  浜田 直也;  城戸 基;  今井 浩文;  杉橋 敦史   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23 光半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2007004900A, 申请日期: 2007-01-11, 公开日期: 2007-01-11 作者:  中西 直樹;  濱口 真一;  山本 博昭   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 可視光半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3674139B2, 申请日期: 2005-05-13, 公开日期: 2005-07-20 作者:  山本 直   |  收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/26 半导体激光器模块及其制造方法和光放大器 专利  OAI收割 专利号: CN1366368A, 申请日期: 2002-08-28, 公开日期: 2002-08-28 作者:  木村俊雄;  中江将士;  清水健男;  築地直树;  吉田顺自   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利  OAI收割 专利号: JP3235225B2, 申请日期: 2001-09-28, 公开日期: 2001-12-04 作者:  山本 直;  石橋 晃;  戸田 淳   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/18 光モジュール及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000131558A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12 作者:  三浦 和則;  佐々木 誠美;  山本 直樹;  福田 光男;  山田 泰文   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/30 光モジュール及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000131558A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12 作者:  三浦 和則;  佐々木 誠美;  山本 直樹;  福田 光男;  山田 泰文   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/30