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• 西安光学精密机械研究... [7]

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• 专利 [7]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [2]
• 2006 [1]
• 2004 [1]
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• 1993 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源 专利  OAI收割 专利号: JP2010073708A, 申请日期: 2010-04-02, 公开日期: 2010-04-02 作者:  森本 慎太郎;  森 浩;  山田 敦史   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ用パッケージおよび半導体レーザモジュール 专利  OAI收割 专利号: JP2009200209A, 申请日期: 2009-09-03, 公开日期: 2009-09-03 作者:  中山 貴司;  山田 敦史;  森 浩   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/30 半导体发光元件及可变波长激光器光源 专利  OAI收割 专利号: CN101479897A, 申请日期: 2009-07-08, 公开日期: 2009-07-08 作者:  森浩;  中山贵司;  山田敦史   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子および外部共振器型レーザ光源 专利  OAI收割 专利号: JP2006186250A, 申请日期: 2006-07-13, 公开日期: 2006-07-13 作者:  森 浩;  山田 敦史;  長島 靖明   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3525257B1, 申请日期: 2004-02-27, 公开日期: 2004-05-10 作者:  長島 靖明;  下瀬 佳治;  山田 敦史;  菊川 知之   |  收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体活性素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994005983A, 申请日期: 1994-01-14, 公开日期: 1994-01-14 作者:  山田 敦史;  浅井 昭彦   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体光増幅器 专利  OAI收割 专利号: JP1993267778A, 申请日期: 1993-10-15, 公开日期: 1993-10-15 作者:  山田 敦史;  浅井 昭彦   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2020/01/18