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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• OAI收割 [8]

内容类型

• 专利 [8]

发表日期

• 2007 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]
• 1997 [1]
• 1996 [2]
• 1995 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3958818B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15 作者:  岡川 広明;  只友 一行;  大内 洋一郎   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/24 光モジュ—ル用素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2000216473A, 申请日期: 2000-08-04, 公开日期: 2000-08-04 作者:  駒野 晴保;  岡野 広明;  樋口 恵一;  橋本 俊和;  黒岩 勉   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 GaN系半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999163402A, 申请日期: 1999-06-18, 公开日期: 1999-06-18 作者:  岡川 広明;  大内 洋一郎;  宮下 啓二;  谷口 浩一;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31 III族窒化物発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1997129926A, 申请日期: 1997-05-16, 公开日期: 1997-05-16 作者:  大内 洋一郎;  岡川 広明;  只友 一行;  渡部 信一   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996236864A, 申请日期: 1996-09-13, 公开日期: 1996-09-13 作者:  村山 実;  田邉 哲弘;  岡 広明;  辻 泰宏   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18 p型AlGaN系半導体の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1996008460A, 申请日期: 1996-01-12, 公开日期: 1996-01-12 作者:  渡部 信一;  岡川 広明;  只友 一行   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/30 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1995273367A, 申请日期: 1995-10-20, 公开日期: 1995-10-20 作者:  只友 一行;  岡川 広明;  渡部 信一;  平松 和政   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1994085386A, 申请日期: 1994-03-25, 公开日期: 1994-03-25 作者:  松本 晃広;  竹岡 忠士;  佐々木 和明   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13