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浏览/检索结果: 共19条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 氮化物半导体衬底及器件 专利  OAI收割 专利号: CN100492687C, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27 作者:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3657795B2, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-06-08 作者:  中村 修二;  長濱 慎一;  岩佐 成人;  清久 裕之   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 氮化物半导体的生长方法 专利  OAI收割 专利号: CN1159750C, 申请日期: 2004-07-28, 公开日期: 2004-07-28 作者:  清久裕之;  中村修二;  小崎德也;  岩佐成人;  蝶蝶一幸   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 窒化物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3538275B2, 申请日期: 2004-03-26, 公开日期: 2004-06-14 作者:  中村 修二;  長濱 慎一;  岩佐 成人;  清久 裕之   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN1426119A, 申请日期: 2003-06-25, 公开日期: 2003-06-25 作者:  中村修二;  长滨慎一;  岩佐成人;  清久裕之   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3336599B2, 申请日期: 2002-08-09, 公开日期: 2002-10-21 作者:  岩佐 成人;  中村 修二   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 窒化物半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3241250B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25 作者:  中村 修二;  岩佐 成人;  長濱 慎一   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3141824B2, 申请日期: 2000-12-22, 公开日期: 2001-03-07 作者:  中村 修二;  岩佐 成人;  長濱 慎一   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/13 窒化物半導体発光ダイオードを備えた表示装置 专利  OAI收割 专利号: JP2976951B2, 申请日期: 1999-09-10, 公开日期: 1999-11-10 作者:  中村 修二;  岩佐 成人;  長濱 慎一   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/24 窒化物半導体素子 专利  OAI收割 专利号: JP1999191637A, 申请日期: 1999-07-13, 公开日期: 1999-07-13 作者:  中村 修二;  清久 裕之;  小崎 徳也;  岩佐 成人   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18