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レーザ光照射装置、レーザ光照射モジュール調整装置、およびレーザ光照射モジュール調整方法 专利  OAI收割
专利号: JP2012211939A, 申请日期: 2012-11-01, 公开日期: 2012-11-01
作者:  高橋 健一郎;  島川 修;  水戸瀬 雄一;  小西 一昌;  蟹江 智彦
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光部品 专利  OAI收割
专利号: JP2010271476A, 申请日期: 2010-12-02, 公开日期: 2010-12-02
作者:  高橋 健一郎;  島川 修;  多久島 道子;  蟹江 智彦;  井上 享
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1998341058A, 申请日期: 1998-12-22, 公开日期: 1998-12-22
作者:  八重樫 浩樹;  中島 徹人;  堀川 英明;  後藤 修;  中村 幸治
  |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18
半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1997181387A, 申请日期: 1997-07-11, 公开日期: 1997-07-11
作者:  八重樫 浩樹
  |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/13
AlGaAsの表面処理方法 专利  OAI收割
专利号: JP1997083080A, 申请日期: 1997-03-28, 公开日期: 1997-03-28
作者:  後藤 修;  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/18
分布帰還型レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996321661A, 申请日期: 1996-12-03, 公开日期: 1996-12-03
作者:  堀川 英明;  中村 幸治;  中島 徹人;  後藤 修
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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996288589A, 申请日期: 1996-11-01, 公开日期: 1996-11-01
作者:  後藤 修;  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明
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半導体レーザ 专利  OAI收割
专利号: JP1996195524A, 申请日期: 1996-07-30, 公开日期: 1996-07-30
作者:  中村 幸治;  中島 徹人;  堀川 英明;  後藤 修
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18
InGaPの表面処理方法および半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996130204A, 申请日期: 1996-05-21, 公开日期: 1996-05-21
作者:  後藤 修;  中島 徹人;  堀川 英明
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半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP1996130343A, 申请日期: 1996-05-21, 公开日期: 1996-05-21
作者:  中島 徹人;  八重樫 浩樹;  堀川 英明;  後藤 修
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