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• 专利 [4]
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发表日期

• 2021 [1]
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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Taiji program in space for gravitational universe with the first run key technologies test in Taiji-1 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS A, 2021, 卷号: 36, 期号: 11N12, 页码: 2 作者:  Wu YL(吴岳良);  Luo ZR(罗子人);  Wang, Jian-Yu;  Bai, Meng;  Bian, Wei   |  收藏  |  浏览/下载：162/0  |  提交时间：2021/06/21 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 专利  OAI收割 专利号: CN109791960A, 申请日期: 2019-05-21, 公开日期: 2019-05-21 作者:  崔洛俊;  金炳祚;  吴炫智;  丁星好   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/30 半导体器件和包括半导体器件的半导体器件封装 专利  OAI收割 专利号: CN109417112A, 申请日期: 2019-03-01, 公开日期: 2019-03-01 作者:  崔洛俊;  金炳祚;  吴炫智;  洪埩熀   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/30 半导体器件和包括该半导体器件的半导体器件封装 专利  OAI收割 专利号: CN108110110A, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2018-06-01 作者:  吴炫智;  金炳祚;  崔洛俊   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体器件及包括其的半导体器件封装 专利  OAI收割 专利号: CN107799639A, 申请日期: 2018-03-13, 公开日期: 2018-03-13 作者:  吴炫智;  崔洛俊;  金炳祚   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/30 Integration of Selective Epitaxial Growth of SiGe/Ge layers in 14nm Node FinFETs 期刊论文  OAI收割 ECS Transactions, 2016 作者:  Yin HX(殷华湘)   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/05/09 Investigation of TaN as the wet etch stop layer for HKMG-last integration in the 22 nm and beyond nodes CMOS technology 期刊论文  OAI收割 Vacuum, 2015 作者:  Cui HS(崔虎山);  Luo J(罗军);  Xu J(许静);  Gao JF(高建峰);  Xiang JJ(项金娟)   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2016/05/31