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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 分布反馈型半导体激光元件、分布反馈型半导体激光元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN104810723A, 申请日期: 2015-07-29, 公开日期: 2015-07-29 作者:  上辻哲也;  川崎和重;  南政史   |  收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体光学元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101950924B, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04 作者:  阿部真司;  川崎和重   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 氮化物半导体装置的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101752783B, 申请日期: 2012-03-14, 公开日期: 2012-03-14 作者:  阿部真司;  川崎和重   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4813009B2, 申请日期: 2011-09-02, 公开日期: 2011-11-09 作者:  川崎 和重;  鴫原 君男   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN102148477A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10 作者:  冈贵郁;  阿部真司;  川崎和重;  佐久间仁   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN101877456A, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2010-11-03 作者:  冈贵郁;  阿部真司;  川崎和重;  堀江淳一;  佐久间仁   |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光装置 专利  OAI收割 专利号: CN101257187B, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29 作者:  川崎和重;  中川康幸;  松冈裕益   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27 作者:  盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志;  川崎和重   |  收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 半导体光学元件的制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN101276993A, 申请日期: 2008-10-01, 公开日期: 2008-10-01 作者:  阿部真司;  川崎和重   |  收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体光电器件 专利  OAI收割 专利号: CN100407463C, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30 作者:  原君男;  川崎和重   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/26