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分布反馈型半导体激光元件、分布反馈型半导体激光元件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN104810723A, 申请日期: 2015-07-29, 公开日期: 2015-07-29
作者:  上辻哲也;  川崎和重;  南政史
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半导体光学元件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101950924B, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
作者:  阿部真司;  川崎和重
  |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/26
氮化物半导体装置的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101752783B, 申请日期: 2012-03-14, 公开日期: 2012-03-14
作者:  阿部真司;  川崎和重
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半導体光素子の製造方法 专利  OAI收割
专利号: JP4813009B2, 申请日期: 2011-09-02, 公开日期: 2011-11-09
作者:  川崎 和重;  鴫原 君男
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半导体发光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN102148477A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10
作者:  冈贵郁;  阿部真司;  川崎和重;  佐久间仁
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半导体发光元件的制造方法及半导体发光元件 专利  OAI收割
专利号: CN101877456A, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2010-11-03
作者:  冈贵郁;  阿部真司;  川崎和重;  堀江淳一;  佐久间仁
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半导体激光装置 专利  OAI收割
专利号: CN101257187B, 申请日期: 2010-09-29, 公开日期: 2010-09-29
作者:  川崎和重;  中川康幸;  松冈裕益
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氮化物半导体装置及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101442184A, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 2009-05-27
作者:  盐泽胜臣;  金本恭三;  大石敏之;  黑川博志
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半导体光学元件的制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101276993A, 申请日期: 2008-10-01, 公开日期: 2008-10-01
作者:  阿部真司;  川崎和重
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半导体光电器件 专利  OAI收割
专利号: CN100407463C, 申请日期: 2008-07-30, 公开日期: 2008-07-30
作者:  原君男;  川崎和重
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