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• 西安光学精密机械研究... [8]

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• 专利 [8]

发表日期

• 2010 [1]
• 2007 [1]
• 2002 [1]
• 2001 [1]
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• 1997 [1]
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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半導体レーザの製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2010016281A, 申请日期: 2010-01-21, 公开日期: 2010-01-21 作者:  多田 仁史;  山口 勉;  川津 善平;  大倉 裕二   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体デバイス 专利  OAI收割 专利号: JP3898786B2, 申请日期: 2007-01-05, 公开日期: 2007-03-28 作者:  梶川 靖友;  川津 善平   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1359179A, 申请日期: 2002-07-17, 公开日期: 2002-07-17 作者:  田代贺久;  川津善平;  西口晴美;  八木哲哉;  岛显洋   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導體雷射裝置及其製造方法 专利  OAI收割 专利号: TW465154B, 申请日期: 2001-11-21, 公开日期: 2001-11-21 作者:  川津善平;  宮下宗治;  八木哲哉   |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体装置及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP1998321956A, 申请日期: 1998-12-04, 公开日期: 1998-12-04 作者:  川津 善平;  中山 毅   |  收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2020/01/18 一种半导体光发射器件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN1148734A, 申请日期: 1997-04-30, 公开日期: 1997-04-30 作者:  川津善平;  早藤纪生;  迪撒德·马克斯   |  收藏  |  浏览/下载：87/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体激光二极管及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1136720A, 申请日期: 1996-11-27, 公开日期: 1996-11-27 作者:  早藤纪生;  川津善平   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP1995231142A, 申请日期: 1995-08-29, 公开日期: 1995-08-29 作者:  川津 善平;  木村 達也   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13