机构

• 西安光学精密机械研... [17]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [18]

内容类型

• 专利 [17]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2011 [1]
• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2000 [3]
• 1998 [3]
• 1996 [1]
• 更多

学科主题

筛选

浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 外延生长用基板、GaN类半导体膜的制造方法、GaN类半导体膜、GaN类半导体发光元件的制造方法以及GaN类半导体发光元件 专利  OAI收割 专利号: CN101939820A, 申请日期: 2011-01-05, 公开日期: 2011-01-05 作者:  冈川广明;  工藤广光;  中井辉久;  金成珍   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2020/01/18 半导体发光器件、光学拾取单元及信息记录/再现装置 专利  OAI收割 专利号: CN101188346B, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2010-12-08 作者:  古嶋裕司;  阿部博明;  工藤久;  藤本强;  青嶋健太郎   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26 光半导体元件 专利  OAI收割 专利号: CN100530867C, 申请日期: 2009-08-19, 公开日期: 2009-08-19 作者:  中原宏治;  工藤真;  田中滋久   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26 ~(208)Hgβ~-衰变γ纲图 期刊论文  OAI收割 高能物理与核物理, 2000, 卷号: 2000, 期号: 09, 页码: 823-828 张立,胡青元,赵进华,郑纪文,李占奎,李世红,甘再国,于涌,范红梅,郭斌,张天梅,王春芳,王同庆,靳根明,森田浩介,吉田敦,蒲越虎,工藤久昭,矢野安重   |  收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/10/29 衰变纲图  能级  Γ-γ关联   化合物半導体装置および通信装置 专利  OAI收割 专利号: JP2000228371A, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15 作者:  寺野 昭久;  樋口 克彦;  工藤 真   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3084042B2, 申请日期: 2000-06-30, 公开日期: 2000-09-04 作者:  中西 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/12/26 半導体レーザ装置およびその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP2810518B2, 申请日期: 1998-07-31, 公开日期: 1998-10-15 作者:  工藤 裕章;  瀧口 治久;  猪口 和彦;  中西 千登勢;  菅原 聰   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30 作者:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP2755357B2, 申请日期: 1998-03-06, 公开日期: 1998-05-20 作者:  種谷 元隆;  工藤 裕章;  菅原 聰;  猪口 和彦;  中西 千登勢   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP1996213697A, 申请日期: 1996-08-20, 公开日期: 1996-08-20 作者:  坂根 千登勢;  瀧口 治久;  工藤 裕章;  菅原 聰   |  收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2020/01/13