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浏览/检索结果: 共51条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Study on the ignition characteristics of CH4/H2/air mixtures in a micro flow reactor with a controlled temperature profile 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY, 2024, 卷号: 51, 页码: 818-829 作者:  Wang, Junxiong;  Li, Xing;  Li, Jun;  Xie, Yunsheng;  Fan, Min   |  收藏  |   Experimental and Numerical Study on the Combustion Characteristics of a Laminar Non-Premixed Methane Jet Flame in Oxygen/Carbon Dioxide Coflow 期刊论文  OAI收割 FRONTIERS IN ENERGY RESEARCH, 2022, 卷号: 10, 页码: 11 作者:  Zhang, Fan;  Li, Xing;  Xie, Shengrong;  Wang, Junxiong;  Wang, Xiaohan   |  收藏  |   窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP4179424B2, 申请日期: 2008-09-05, 公开日期: 2008-11-12 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |   氮化物基化合物半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN100388518C, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2008-05-14 作者:  幡俊雄   |  收藏  |   半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP4083866B2, 申请日期: 2008-02-22, 公开日期: 2008-04-30 作者:  幡 俊雄;  伊藤 茂稔   |  收藏  |   氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN100364119C, 申请日期: 2008-01-23, 公开日期: 2008-01-23 作者:  幡俊雄   |  收藏  |   窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3988961B2, 申请日期: 2007-07-27, 公开日期: 2007-10-10 作者:  幡 俊雄;  猪口 和彦   |  收藏  |   窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3963233B2, 申请日期: 2007-06-01, 公开日期: 2007-08-22 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |   窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3957359B2, 申请日期: 2007-05-18, 公开日期: 2007-08-15 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |   化合物半導体発光素子の製造方法および化合物半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP2007116201A, 申请日期: 2007-05-10, 公开日期: 2007-05-10 作者:  幡 俊雄   |  收藏  |