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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助

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氮化物类半导体发光二极管、氮化物类半导体激光元件及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割
专利号: CN103199433A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2013-07-10
作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之;  畑雅幸
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氮化物类半导体发光元件、氮化物类半导体激光元件、氮化物类半导体发光二极管及其制造方法和氮化物类半导体层的形成方法 专利  OAI收割
专利号: CN101809833B, 申请日期: 2012-05-30, 公开日期: 2012-05-30
作者:  广山良治;  三宅泰人;  久纳康光;  别所靖之
  |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/12/26
半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN101355232B, 申请日期: 2012-01-11, 公开日期: 2012-01-11
作者:  广山良治;  野村康彦;  畑雅幸;  三宅泰人
  |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13
半导体激光元件和其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1941526B, 申请日期: 2010-09-22, 公开日期: 2010-09-22
作者:  广山良治;  三宅辉明;  宫田让
  |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26
集成型半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN101826703A, 申请日期: 2010-09-08, 公开日期: 2010-09-08
作者:  伊豆博昭;  山口勤;  大保广树;  广山良治;  畑雅幸
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2020/01/13
集成型半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1753261A, 申请日期: 2006-03-29, 公开日期: 2006-03-29
作者:  伊豆博昭;  山口勤;  大保广树;  广山良治;  畑雅幸
  |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/31
半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN1215620C, 申请日期: 2005-08-17, 公开日期: 2005-08-17
作者:  竹内邦生;  广山良治;  冈本重之;  富永浩司;  野村康彦
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半导体激光元件 专利  OAI收割
专利号: CN1182637C, 申请日期: 2004-12-29, 公开日期: 2004-12-29
作者:  井上大二朗;  广山良治;  竹内邦生;  野村康彦;  畑雅幸
  |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13