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浏览/检索结果: 共36条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 半导体激光装置及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1744398B, 申请日期: 2012-02-15, 公开日期: 2012-02-15 作者:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2010258467A, 申请日期: 2010-11-11, 公开日期: 2010-11-11 作者:  畑 雅幸;  別所 靖之;  野村 康彦;  庄野 昌幸;  梶山 清治   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/01/13 半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 专利  OAI收割 专利号: JP2006269987A, 申请日期: 2006-10-05, 公开日期: 2006-10-05 作者:  畑 雅幸;  別所 靖之;  野村 康彦;  庄野 昌幸;  梶山 清治   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光元件及其制造方法 专利  OAI收割 专利号: CN1841864A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04 作者:  山口勤;  畑雅幸;  狩野隆司;  庄野昌幸;  大保广树   |  收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/13 半导体激光装置、半导体激光装置的制造方法和光拾取装置 专利  OAI收割 专利号: CN1841869A, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2006-10-04 作者:  畑雅幸;  别所靖之;  野村康彦;  庄野昌幸;  永冨谦司   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3634458B2, 申请日期: 2005-01-07, 公开日期: 2005-03-30 作者:  上谷 ▲高▼弘;  庄野 昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体層のキャリア濃度の設定方法及び半導体レーザのキャリア濃度の設定方法 专利  OAI收割 专利号: JP3490923B2, 申请日期: 2003-11-07, 公开日期: 2004-01-26 作者:  本多 正治;  浜田 弘喜;  庄野 昌幸;  ▲廣▼山 良治   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体発光素子 专利  OAI收割 专利号: JP3373975B2, 申请日期: 2002-11-22, 公开日期: 2003-02-04 作者:  畑 雅幸;  廣山 良治;  庄野 昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体レーザ素子とその製造方法 专利  OAI收割 专利号: JP3291431B2, 申请日期: 2002-03-22, 公开日期: 2002-06-10 作者:  ▲広▼山 良治;  上谷 ▲高▼弘;  太田 潔;  米田 幸司;  庄野 昌幸   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/18 自励発振型半導体レーザ素子 专利  OAI收割 专利号: JP3249291B2, 申请日期: 2001-11-09, 公开日期: 2002-01-21 作者:  庄野 昌幸;  本多 正治;  池上 隆俊;  別所 靖之;  茨木 晃   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24