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减小顶栅石墨烯场效应晶体管欧姆接触的方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610266868.5, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-07-20
作者:  史敬元;  彭松昂;  金智;  张大勇
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一种石墨烯场效应晶体管及其制造方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610306272.3, 申请日期: 2018-11-09, 公开日期: 2016-07-20
作者:  彭松昂;  金智;  王少青;  毛达诚;  史敬元
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金属石墨烯双面接触结构的制备方法及石墨烯晶体管 专利  OAI收割
专利号: CN201610306028.7, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-08-31
作者:  彭松昂;  张大勇;  史敬元;  金智;  毛达诚
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基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610266171.8, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2016-06-22
作者:  史敬元;  张大勇;  金智;  彭松昂
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How Do Contact and Channel Contribute to the Dirac Points in Graphene Field‐Effect Transistors? 期刊论文  OAI收割
Advanced Electronic Materials, 2018
作者:  Yu GH(于广辉);  Peng SA(彭松昂);  Jin Z(金智);  Zhang DY(张大勇);  Shi JY(史敬元)
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Growth promotion of vertical graphene on SiO2/Si by Ar plasma process in plasma-enhanced chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割
RSC Advances, 2018
作者:  Yijian Liang;  Jing Li;  Xiaoming Ge;  ShiKe Hu;  Guanghui Yu
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图形化石墨烯及其制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610270900.7, 申请日期: 2018-03-20, 公开日期: 2016-09-21
作者:  史敬元;  张大勇;  金智
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吸波材料制备方法及形成的吸波材料 专利  OAI收割
专利号: CN201610266170.3, 申请日期: 2018-03-02, 公开日期: 2016-08-31
作者:  金智;  史敬元;  彭松昂;  张大勇
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A new surface-potential-based compact model for the MoS2 field effect transistors in active matrix display applications 期刊论文  OAI收割
Journal of Applied Physics, 2018
作者:  Cao JC(曹劲琛);  Peng SA(彭松昂);  Wu QT(吴全潭);  Li L(李泠);  Geng D(耿玓)
  |  收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/04/12
基于石墨烯的超级电容电极材料的制备方法 专利  OAI收割
专利号: CN201610266672.6, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2016-06-22
作者:  史敬元;  金智;  彭松昂;  张大勇
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