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• 西安光学精密机械研究... [9]

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• OAI收割 [9]

内容类型

• 专利 [9]

发表日期

• 2014 [3]
• 2013 [1]
• 2012 [2]
• 2011 [3]

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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549860B, 申请日期: 2014-10-01, 公开日期: 2014-10-01 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/24 III族氮化物半导体激光器元件及III族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102549859B, 申请日期: 2014-08-06, 公开日期: 2014-08-06 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/01/13 III族氮化物半导体激光器元件及其制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN102025104B, 申请日期: 2014-07-02, 公开日期: 2014-07-02 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Ⅲ族氮化物半导体激光器元件及Ⅲ族氮化物半导体激光器元件的制作方法 专利  OAI收割 专利号: CN101984774B, 申请日期: 2013-02-13, 公开日期: 2013-02-13 作者:  善积祐介;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽;  秋田胜史   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/12/24 Ⅲ族氮化物半导体激光元件、及制作Ⅲ族氮化物半导体激光元件的方法 专利  OAI收割 专利号: CN102714397A, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2012-10-03 作者:  善积祐介;  高木慎平;  盐谷阳平;  京野孝史;  足立真宽   |  收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/01/18 III族氮化物半导体激光二极管 专利  OAI收割 专利号: CN102460866A, 申请日期: 2012-05-16, 公开日期: 2012-05-16 作者:  足立真宽;  德山慎司;  盐谷阳平;  京野孝史;  善积祐介   |  收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/31 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件、製作第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射元件之方法、及磊晶基板 专利  OAI收割 专利号: TW201134040A, 申请日期: 2011-10-01, 公开日期: 2011-10-01 作者:  善積祐介;  鹽谷陽平;  京野孝史;  住友隆道;  嵯峨宣弘   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2020/01/18 氮化物系半导体发光器件 专利  OAI收割 专利号: CN102150288A, 申请日期: 2011-08-10, 公开日期: 2011-08-10 作者:  京野孝史;  盐谷阳平;  善积祐介;  秋田胜史;  上野昌纪   |  收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2020/01/18 第ＩＩＩ族氮化物半導體雷射二極體 专利  OAI收割 专利号: TW201117501A, 申请日期: 2011-05-16, 公开日期: 2011-05-16 作者:  秋田勝史;  鹽谷陽平;  京野孝史;  足立真寬;  德山慎司   |  收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2020/01/18